2026年第一季度，全世界存储市场迎来超等周期，三星电子与SK海力士依附内存价格飙升实现事迹暴涨，同时高企的内存成本最先反噬终端制造营业，AI驱动的HBM研发竞赛也进入白热化阶段。

5月15日两家韩厂同步发布财报，数据显示存储价格涨幅惊人。三星电子财报披露，2026年Q1 DRAM与NAND混淆平均售价较2025年整年均值暴涨146%，虽未拆分两类产物涨幅，但夸大HBM四、DDR5等高带宽内存与年夜容量SSD用NAND需求强劲。

SK海力士涨价幅度一样夸张：DRAM均价环比涨60%+，出货量环比持平；NAND均价环比涨70%+，出货量环比降10%，量减价增印证供需极端紧张。事迹方面，SK海力士Q1营收52.58万亿韩元（同比+198%），业务利润率高达72%，跨越英伟达同期程度；三星DS部分业务利润53.7万亿韩元，孝敬集团94%利润。

内存暴涨对于三星而言是“左手赚右手亏”。财报显示，DX部分（终端制造）挪动内存成本同比激增107%，直接推妙手机、平板等产物物料成本。

为应答成本压力，三星DX部分初次将挪动内存列入原质料采购清单，Q1挪动内存占采购总额9.4%，初次跨越摄像头模块（8.9%），仅次在挪动AP（19.9%）与显示屏（10.2%）。更要害的是，美光成为三星手机内存要害供给商，打破持久以来自研自用格式，反应内部供货已经没法满意需求或者成本太高。

AI存储竞争加重鞭策两家企业研发用度年夜幅增加。三星Q1研发投入11.34万亿韩元（同比+25.5%），本钱开支11.23万亿韩元，此中90.7%投向DS部分；整年规划砸110万亿韩元用在本钱开支与研发，重点结构AI半导体与呆板人等新营业。技能进展上，

SK海力士研发投入增幅更猛，Q1达2.55万亿韩元（同比+68.3%），占营收4.9%。产物线路图显示，SK海力士HBM4E估计2026年下半年送样、2027年量产，基底芯片按客户需求定制，焦点芯片采用1c DRAM工艺。

当前存储涨价属在AI驱动的布局性欠缺，单台AI办事器内存配置是平凡办事器的8-10倍，全世界超2/3 DRAM产能被AI与办事器市场消化。供需掉衡下，存储高景气周期将持久延续，HBM、DDR5与企业级SSD成为焦点增加引擎。

对于财产链而言，上游存储厂商赚患上盆满钵满，下流终端制造商（如三星DX）被迫负担高成本并调解供给链计谋；同时，HBM技能竞赛加快，进步前辈制程与封装能力成为制胜要害，全世界半导体财产重心进一步向AI存储与算力基础举措措施歪斜。